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        制ITO粉設備

        產(chǎn)品介紹1、(銦錫氧化物)靶材注冊商標:“金海”牌執(zhí)行標準:Q純度:4N9999%用途:平板顯示器、防輻射玻璃、太陽能電池等化學組成:In2O3:290:10wt%相對密度:>99%晶體結(jié)構:單一立方In2O3相形狀規(guī)格:單片尺寸:300×300×5~10mm,塊狀。顏色:灰黑色包裝:真空包裝。 冷等靜壓_燒結(jié)法制備磁控濺射靶材的工藝研究冷等靜壓_燒結(jié)法制備磁控濺射靶材的工藝研究_材料科學_工程科技_專業(yè)資料暫無評價|0人閱讀|0次下載|舉報文檔冷等靜壓_燒結(jié)法制備磁控濺射靶材的工藝研.....

        產(chǎn)品介紹

        1、(銦錫氧化物)靶材注冊商標:“金海”牌執(zhí)行標準:Q純度:4N9999%用途:平板顯示器、防輻射玻璃、太陽能電池等化學組成:In2O3:290:10wt%相對密度:>99%晶體結(jié)構:單一立方In2O3相形狀規(guī)格:單片尺寸:300×300×5~10mm,塊狀。顏色:灰黑色包裝:真空包裝。

        冷等靜壓_燒結(jié)法制備磁控濺射靶材的工藝研究

        冷等靜壓_燒結(jié)法制備磁控濺射靶材的工藝研究_材料科學_工程科技_專業(yè)資料暫無評價|0人閱讀|0次下載|舉報文檔冷等靜壓_燒結(jié)法制備磁控濺射靶材的工藝研究_材料科學_工程科技_專業(yè)資料。第31卷第4期稀有金屬與硬質(zhì)合金31№42003年12月第31卷第4期稀有金屬與硬質(zhì)合金31№42003年12月2003試驗與研究冷等靜壓燒結(jié)法制備磁控濺射靶材的工藝研究李晶陳世柱李芝華中南大學材料科學與工程學院湖南長沙摘要采用。

        納米粉體與漿料的制備及其性能

        論文題目納米.ⅡQ.粉體點.漿料.的.趔備及共性.能.學科,專業(yè)…………赫赴擄.理生匕_璺………t……研究生姓名………………一垂一鍪~明…………………~導師姓名及專業(yè)技術職務……….爨掌墾熬撞一(.博雖^……中南大學碩士學位論文摘要ITO(IndiumTinOxide)是一種重摻雜、高簡并的n型半導體,具有一系列優(yōu)異的光學、化學、電學性能。本研究以金屬銦和氯化錫為原料,采用化學共沉淀法制備了納米ITO粉體。研究了在不同的pH值、不同分散劑和不同的煅燒溫度對粉末粒度、形貌、結(jié)構和團聚的影響,并用差熱分析(TO—DTA)、x一射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)對所制得粉體進行了較全面的表征,發(fā)現(xiàn)在pH值為9,并添加分散劑,在750。C下煅燒2h所得電阻為6.49Q。

        靶材的制備及其性能研究

        Oxide)薄膜是一種n型半導體陶瓷薄膜,具有導電性好(電阻率10地.cm),對可見光透明(透過率>85%);對紫外光具有吸收性(吸收率>85%);對紅外光具有高反射性(反射率>80%)等優(yōu)異性能。因而被廣泛應用于電學、光學等領域。目前制備ITO薄膜的方法很多,主要有磁控濺射法、化學氣相沉積、噴霧熱分解法、以及溶膠凝膠法等等。采用磁控濺射法制備的ITO薄膜具有工藝控制性好,成膜質(zhì)量高等優(yōu)點而被廣泛的應用于工業(yè)生產(chǎn)。磁控濺射法制備高質(zhì)量1TO薄膜的前提是要制備高純度,超高密度的ITO靶材。本論文以一次粒徑小于20nm的1TO單相復合粉末,采用熱壓法(HP)及放電等離子燒結(jié)(SPS)兩種方法制備ITO陶瓷材料。SPS制備ITO靶材的研究表明:過高的燒結(jié)溫度不利于ITO靶材的致密化,ITO靶材的相。

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